Продукція > UMW > IRLL014NTR

IRLL014NTR UMW


IRLL014N.pdf Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR UMW TIRLL014n UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTR UMW

Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLL014NTR за ціною від 13.99 грн до 26.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLL014NTR Виробник : Infineon IRLL014N.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLL014NTR Виробник : IR IRLL014N.pdf Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+26.72 грн
100+ 14.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLL014NTR IRLL014NTR Виробник : Infineon Technologies IRLL014N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товар відсутній