IRLL014NTR UMW
![IRLL014N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR UMW TIRLL014n UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLL014NTR UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLL014NTR за ціною від 13.99 грн до 26.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLL014NTR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRLL014NTR | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
IRLL014NTR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
товар відсутній |