IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.97 грн |
50+ | 97.98 грн |
100+ | 80.62 грн |
500+ | 68.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLIZ34GPBF за ціною від 75.35 грн до 141.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLIZ34GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRLIZ34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||
IRLIZ34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||
IRLIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IRLIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |