на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 77.53 грн |
| 164+ | 74.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLI640GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRLI640GPBF за ціною від 67.68 грн до 229.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 4669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRLI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.9A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.9A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |