IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.048 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 3.6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLHS6376TRPBF за ціною від 11.76 грн до 57.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.5W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.5W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 136083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC |
на замовлення 42195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 29860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.048 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 29860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |