![IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/47/508161/smn_/manual/pqfn_2x2_single.jpg_472149771.jpg)
IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 9.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLHS6342TRPBF за ціною від 12.38 грн до 44.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLHS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V |
на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V |
на замовлення 129316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLHS6342TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |