IRLHM620TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 24.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 20.82 грн до 71.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM620TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V |
на замовлення 19976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC |
на замовлення 3073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRLHM620TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.7W Technology: HEXFET® Kind of package: reel Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLHM620TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.7W Technology: HEXFET® Kind of package: reel Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |