IRLH5034TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 129.78 грн |
| 10+ | 114.14 грн |
| 100+ | 98.51 грн |
| 500+ | 89.29 грн |
| 1000+ | 76.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLH5034TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLH5034TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLH5034TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IRLH5034TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 29A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IRLH5034TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IRLH5034TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLH5034TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms |
товар відсутній |
|
|
|
IRLH5034TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 29A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 |
товар відсутній |