Продукція > VISHAY > IRLD120PBF
IRLD120PBF

IRLD120PBF Vishay

sihld120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRLD120PBF за ціною від 27.17 грн до 176.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY IRLD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: THT
Case: DIP4
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+47.14 грн
10+ 40.08 грн
33+ 27.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY IRLD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: THT
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.57 грн
10+ 49.94 грн
33+ 32.6 грн
90+ 30.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+83.39 грн
10+ 79.08 грн
100+ 70.64 грн
500+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+88.79 грн
10+ 83.93 грн
25+ 83.5 грн
50+ 80.12 грн
100+ 65.73 грн
250+ 59.4 грн
500+ 55.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+89.8 грн
145+ 85.16 грн
162+ 76.07 грн
500+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+95.62 грн
136+ 90.38 грн
137+ 89.92 грн
138+ 86.28 грн
156+ 70.79 грн
250+ 63.97 грн
500+ 59.58 грн
Мінімальне замовлення: 129
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+115.94 грн
114+ 108.64 грн
130+ 95.06 грн
Мінімальне замовлення: 106
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihld120.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.87 грн
10+ 96.65 грн
100+ 68.76 грн
250+ 64.7 грн
1000+ 53.83 грн
2500+ 49.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.67 грн
10+ 101.6 грн
100+ 78.19 грн
500+ 65.74 грн
1000+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.34 грн
10+ 108.91 грн
100+ 74.47 грн
500+ 56.03 грн
1000+ 51.56 грн
2000+ 47.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLD120PBF IRLD120PBF Виробник : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)