на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 83.49 грн |
| 10+ | 77.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 21.99 грн до 150 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 8376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4 Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.7A On-state resistance: 760mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Case: DIP4 |
на замовлення 1742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4 Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.7A On-state resistance: 760mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Case: DIP4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLD110PBF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF Код товару: 30512 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |