![IRLD014PBF IRLD014PBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/86cd509332e5665a27452923c485956075087fc2/90161-pt-medium.jpg)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
422+ | 28.58 грн |
442+ | 27.3 грн |
461+ | 26.2 грн |
500+ | 24.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRLD014PBF за ціною від 29.16 грн до 114.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 6986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 9673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRLD014PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF Код товару: 37496 |
![]() |
товар відсутній
|