IRLB8721PBF Infineon Technologies
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 24.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLB8721PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLB8721PBF за ціною від 24.47 грн до 89.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V |
на замовлення 14035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8721PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg |
на замовлення 6553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8721PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLB8721PBF Код товару: 182469 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRLB8721PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 7.6nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLB8721PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 7.6nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |