![IRLB4132PBF IRLB4132PBF](/img/to-220.jpg)
IRLB4132PBF
![IRLB4132PbF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 86447
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 81 шт:
58 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 32 грн |
10+ | 28.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB4132PBF за ціною від 22.15 грн до 73.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
на замовлення 10427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRLB4132 | Виробник : International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRLB4132 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11252 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
10nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=7mm (HF3A103Z-L516BD7-Hitano) Код товару: 2049 |
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=7 mm
Part Number: HF3A103Z-L516BD7
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=7 mm
Part Number: HF3A103Z-L516BD7
у наявності: 390 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
20+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2959 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 12845 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
39+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3481 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 6156 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 5 грн |
12+ | 4.5 грн |
100+ | 4.1 грн |
1000+ | 3.7 грн |
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годинник) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 11465 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 397 шт
очікується:
600 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 11.9 грн |