IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 43.68 грн до 126.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V |
на замовлення 4748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товар відсутній |
З цим товаром купують
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2133 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 11985 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3314 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 35006 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
3,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3R6-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 11293 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,6 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,6 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 4425 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 17658 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 1.5 грн |
56+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
Вентилятор 40x40x10, 12V, GT2-7002 12VDC Код товару: 114895 |
Виробник: Global Tone
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
Габаритні розміри, mm: 40x40x10 mm
Напруга, В: 12 DC
Потужність, W: 0,96 Вт
Опис: Підшипник ковзання "втулка"
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
Габаритні розміри, mm: 40x40x10 mm
Напруга, В: 12 DC
Потужність, W: 0,96 Вт
Опис: Підшипник ковзання "втулка"
у наявності: 604 шт
очікується:
6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 50 грн |
10+ | 45 грн |
100+ | 39.9 грн |