![IRLB3036PBF IRLB3036PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/8/529540/smn_/manual/to-220ab.jpg_472149771.jpg)
IRLB3036PBF Infineon Technologies
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLB3036PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLB3036PBF за ціною від 120.34 грн до 339.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
на замовлення 15664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF Код товару: 58855 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 60 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 11210/91 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |