IRL80HS120 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.22 грн |
| 8000+ | 24.05 грн |
| 12000+ | 22.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL80HS120 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 11.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRL80HS120 за ціною від 23.7 грн до 86.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL80HS120 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 11.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 24149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 11.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 16068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2 Mounting: SMD Case: PQFN2X2 Drain-source voltage: 80V Drain current: 9A On-state resistance: 32mΩ Gate charge: 4.7nC Kind of package: reel Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: OptiMOS™ 5 Power dissipation: 5.8W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2 Mounting: SMD Case: PQFN2X2 Drain-source voltage: 80V Drain current: 9A On-state resistance: 32mΩ Gate charge: 4.7nC Kind of package: reel Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: OptiMOS™ 5 Power dissipation: 5.8W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |