IRL7833PBF Infineon Technologies
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL7833PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL7833PBF за ціною від 58.63 грн до 153.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL7833PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL7833PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL7833PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL7833PBF Код товару: 73777 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRL7833PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |