IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 141.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRL7472L1TRPBF за ціною від 139.62 грн до 384.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL7472L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7472L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7472L1TRPbF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7472L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7472L1TRPbF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V |
на замовлення 14582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7472L1TRPbF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7472L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7472L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 340 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 340µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 13534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRL7472L1TRPbF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IRL7472L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товар відсутній |