Продукція > VISHAY > IRL640SPBF
IRL640SPBF

IRL640SPBF Vishay


sihl640s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL640SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL640SPBF за ціною від 59.8 грн до 161.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.16 грн
10+ 93.7 грн
100+ 87.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+114.87 грн
121+ 100.45 грн
129+ 94.31 грн
Мінімальне замовлення: 106
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihl640s.pdf MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 7067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.28 грн
10+ 100.18 грн
100+ 75.96 грн
250+ 74.57 грн
500+ 68.09 грн
1000+ 62.86 грн
2000+ 59.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.56 грн
10+ 95.1 грн
12+ 70.42 грн
33+ 66.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013439295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.63 грн
10+ 109.45 грн
100+ 96.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.79 грн
50+ 118.91 грн
100+ 97.84 грн
500+ 77.69 грн
1000+ 65.92 грн
2000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.67 грн
10+ 118.51 грн
12+ 84.5 грн
33+ 80.14 грн
2000+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf N-Channel 200V 17A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.11 грн
10+ 133.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL640SPBF
Код товару: 127205
sihl640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL640SPBF IRL640SPBF Виробник : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній