IRL6342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 10.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL6342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL6342TRPBF за ціною від 8.24 грн до 44.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.9A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.9A On-state resistance: 14.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.9A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.9A On-state resistance: 14.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V |
на замовлення 13942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl |
на замовлення 5458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |