![IRL620SPBF IRL620SPBF](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO263-40.jpg)
IRL620SPBF VISHAY
![VISH-S-A0013439297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 134.14 грн |
10+ | 116.2 грн |
100+ | 88.13 грн |
500+ | 71.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL620SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRL620SPBF за ціною від 62.85 грн до 154.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL620SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL620SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL620SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRL620SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IRL620SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRL620SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A |
товар відсутній |