![IRL60SL216 IRL60SL216](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO262-40.jpg)
IRL60SL216 INFINEON
![INFN-S-A0002267546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 225.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL60SL216 INFINEON
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 298, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRL60SL216 за ціною від 453.57 грн до 755.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL60SL216 | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRL60SL216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRL60SL216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V |
товар відсутній |