Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL60HS118
IRL60HS118

IRL60HS118 Infineon Technologies

infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL60HS118 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 11.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRL60HS118 за ціною від 19.81 грн до 103.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.24 грн
8000+ 23.03 грн
12000+ 21.32 грн
28000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.93 грн
18+ 33.98 грн
29+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+40.38 грн
318+ 38.06 грн
326+ 37.16 грн
500+ 34.86 грн
1000+ 31.38 грн
4000+ 28.48 грн
Мінімальне замовлення: 300
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL60HS118_DataSheet_v03_01_EN-3363430.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.04 грн
10+ 50.89 грн
100+ 36.73 грн
500+ 30.73 грн
1000+ 26.2 грн
2000+ 23.35 грн
4000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 11.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 15230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.86 грн
500+ 49.22 грн
1000+ 34.85 грн
5000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 40673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 55.46 грн
100+ 38.38 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 25.61 грн
2000+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 11.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 15230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.98 грн
10+ 86 грн
100+ 62.86 грн
500+ 49.22 грн
1000+ 34.85 грн
5000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRL60HS118.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 5.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 60V
Case: PQFN2X2
Gate charge: 5.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL60HS118 IRL60HS118 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRL60HS118.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 5.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 60V
Case: PQFN2X2
Gate charge: 5.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній