![IRL60B216 IRL60B216](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/330520d3a0607a2624be1284263d699fc053d976/to-220ab.jpg)
IRL60B216 Infineon Technologies
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1550+ | 131.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL60B216 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL60B216 за ціною від 246.25 грн до 246.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL60B216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRL60B216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
IRL60B216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||
![]() |
IRL60B216 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 215A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRL60B216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRL60B216 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRL60B216 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 215A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |