Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL540NSTRLPBF
IRL540NSTRLPBF

IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 188
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRL540NSTRLPBF за ціною від 41.69 грн до 155.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+68.37 грн
1600+ 67.69 грн
2400+ 63.41 грн
4800+ 54.63 грн
5600+ 44.81 грн
9600+ 41.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+73.63 грн
1600+ 72.89 грн
2400+ 68.29 грн
4800+ 58.83 грн
5600+ 48.25 грн
9600+ 44.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+76.27 грн
1600+ 62.32 грн
2400+ 59.2 грн
5600+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+88.17 грн
250+ 79.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+120.28 грн
10+ 96.99 грн
18+ 48.5 грн
50+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN-3363389.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.96 грн
10+ 113.57 грн
100+ 79.71 грн
800+ 59.61 грн
2400+ 55.23 грн
4800+ 54.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 40153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.58 грн
10+ 109.12 грн
100+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.33 грн
10+ 120.87 грн
18+ 58.19 грн
50+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+155.89 грн
10+ 113.16 грн
50+ 104.45 грн
100+ 88.17 грн
250+ 79.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній