IRL520NPBF Infineon Technologies
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 22.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL520NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL520NPBF за ціною від 24.49 грн до 79.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 6459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|