IRL510PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.58 грн |
| 11+ | 34.85 грн |
| 12+ | 31.51 грн |
| 35+ | 24.25 грн |
| 96+ | 22.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL510PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRL510PBF за ціною від 27.51 грн до 91.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V N-CH HEXFET |
на замовлення 7126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL510PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 9239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRL510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |