Технічний опис IRL40T209ATMA2 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R.
Інші пропозиції IRL40T209ATMA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL40T209ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRL40T209ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|
IRL40T209ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |