IRL3103PBF ROCHESTER ELECTRONICS
![IRSDS11873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103PBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL3103PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRL3103PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL3103 Код товару: 189656 |
Виробник : JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 64 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 220 шт
220 шт - склад
|
|
Інші пропозиції IRL3103PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL3103PBF Код товару: 52399 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 30 V Idd,A: 64 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1650/33 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
![]() |
IRL3103PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRL3103PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRL3103PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |