IRL2910STRL Infineon
![irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d](/images/adobe-acrobat.png)
Transistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL2910STRL Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL2910STRL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL2910STRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
товар відсутній |