![IRL2505PBF IRL2505PBF](/img/to-220.jpg)
IRL2505PBF JSMicro
![IRL2505PBF-jsmicro.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 191359
Виробник: JSMicroКорпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 269 шт:
219 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL2505PBF JSMicro
- MOSFET, N, 55V, 104A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:104A
- On State Resistance:0.008ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2V
- Min Voltage Vgs th:1V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:360A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Можливі заміни IRL2505PBF JSMicro
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL2505PBF Код товару: 27992 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 104 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 137 шт
|
|
Інші пропозиції IRL2505PBF за ціною від 51.95 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL2505PBF Код товару: 27992 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 104 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 137 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 104A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 104A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 9165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRL2505PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL2505PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
BT151B-650 Код товару: 858 |
Виробник: NXP
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: D-2PAK
Uзакр,V: 650 V
Iвідкр,mA: 15 mA
Imax,A: 12 А
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: D-2PAK
Uзакр,V: 650 V
Iвідкр,mA: 15 mA
Imax,A: 12 А
у наявності: 144 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
100+ | 19.3 грн |
IRL2505PBF Код товару: 27992 |
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 137 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 59.4 грн |
1,8 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1R8-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2073 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,8 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,8 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 82559 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
BC856B транзистор біполярний PNP Код товару: 2029 |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 5208 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 1.5 грн |
50+ | 1 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
15nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B153K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1642 |
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 15 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 15 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 4519 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 0.8 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |