IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 48.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL1404ZSTRLPBF за ціною від 49.78 грн до 176.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 3436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl |
на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRL1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |