IRGSL4062DPBF

IRGSL4062DPBF Infineon Technologies


infineon-irgs4062d-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGSL4062DPBF Infineon Technologies

Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns, Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції IRGSL4062DPBF за ціною від 179.76 грн до 179.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : Infineon Technologies IRGS%28SL%294062DPbF.pdf Description: IGBT 600V 48A 250W TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+179.76 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : International Rectifier IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 46304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+179.76 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : Infineon Technologies irgs4062dpbf-1228424.pdf IGBT Transistors 600V Low VCEon
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irgs4062d-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irgs4062d-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irgs4062dpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irgs4062dpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
товар відсутній