![IRGP6650D-EPBF IRGP6650D-EPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_IFEINFAIGW50N65F5XKSA1.jpg)
IRGP6650D-EPBF International Rectifier
![IRSD-S-A0000217486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT WITH RECOVERY DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 300µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
101+ | 208.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRGP6650D-EPBF International Rectifier
Description: IGBT WITH RECOVERY DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns, Switching Energy: 300µJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 306 W.
Інші пропозиції IRGP6650D-EPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRGP6650D-EPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
IRGP6650D-EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |