IRGP4263-EPBF

IRGP4263-EPBF Infineon Technologies


4065irgp4263pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRGP4263-EPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 90A 300W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 48A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 48A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 192 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції IRGP4263-EPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRGP4263-EPBF IRGP4263-EPBF Виробник : Infineon Technologies IRGP4263%28-E%29PBF.pdf Description: IGBT 650V 90A 300W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 48A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 48A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 192 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
IRGP4263-EPBF IRGP4263-EPBF Виробник : Infineon Technologies irgp4263pbf-1994919.pdf IGBT Transistors IR IGBT 600V 650V 48A TO-247AD
товару немає в наявності