IRG7PH30K10DPBF

IRG7PH30K10DPBF Infineon Technologies


irg7ph30k10dpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG7PH30K10DPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 30A 180W TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 9A, Supplier Device Package: TO-247AC, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/110ns, Switching Energy: 530µJ (on), 380µJ (off), Test Condition: 600V, 9A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції IRG7PH30K10DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG7PH30K10DPBF IRG7PH30K10DPBF Виробник : Infineon Technologies IRG7PH30K10DPBF.pdf Description: IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/110ns
Switching Energy: 530µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 600V, 9A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A
Power - Max: 180 W
товар відсутній
IRG7PH30K10DPBF IRG7PH30K10DPBF Виробник : Infineon Technologies irg7ph30k10dpbf-1296197.pdf IGBT Transistors 1200V 30A
товар відсутній