IRG4PC30FDPBF
Код товару: 36329
Виробник: IRКорпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,59 V
Ic 25: 31 A
Ic 100: 17 A
Pd 25: 100 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 21/200
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4PC30FDPBF IR
- IGBT
- Transistor Type:IGBT
- Transistor P
Інші пропозиції IRG4PC30FDPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRG4PC30FDPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
||
IRG4PC30FDPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC30FDPBF - IGBT, schnell, CoPACK, N-Kanal, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.99 DC-Kollektorstrom: 31 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
||
IRG4PC30FDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 31A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
||
IRG4PC30FDPBF | Виробник : Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz |
товар відсутній |