на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 287.07 грн |
10+ | 240.22 грн |
100+ | 166.97 грн |
500+ | 155.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC30KDSTRLP Infineon / IR
Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns, Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 67 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IRG4BC30KDSTRLP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRG4BC30KDSTRLP | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
IRG4BC30KDSTRLP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W |
товар відсутній |