![IRFZ24PBF IRFZ24PBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3D/51/01/00/0/1054163_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=6a565b10ea852786fad1c6a2edae439f43faf7ca)
IRFZ24PBF VISHAY
![irlz44.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.33 грн |
10+ | 68.65 грн |
29+ | 29.47 грн |
79+ | 27.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ24PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ24PBF за ціною від 33.46 грн до 109.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ24PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ24PBF Код товару: 115082 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFZ24PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |