![IRFZ20PBF IRFZ20PBF](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.95 грн |
10+ | 90.56 грн |
100+ | 68.09 грн |
250+ | 56.66 грн |
500+ | 56.31 грн |
1000+ | 56.24 грн |
2000+ | 53.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ20PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFZ20PBF за ціною від 51.53 грн до 128.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFZ20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFZ20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFZ20PBF Код товару: 92339 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IRFZ20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFZ20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
IRFZ20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFZ20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |