Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFZ14PBF-BE3
IRFZ14PBF-BE3

IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix

irfz14.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.49 грн
50+ 48.39 грн
100+ 38.35 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 30.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFZ14PBF-BE3 за ціною від 35.09 грн до 67.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix irfz14.pdf MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.31 грн
10+ 51.01 грн
100+ 36.73 грн
500+ 35.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Виробник : Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A
товар відсутній