![IRFUC20PBF IRFUC20PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/6/6/2/36/28/797/vsh_/manual/to-251aa.jpg)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 23.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFUC20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFUC20PBF за ціною від 29.91 грн до 105.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF Код товару: 25612 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |