на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 35.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFU9110PBF за ціною від 36.08 грн до 99.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp |
на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |