![IRFU7546PBF IRFU7546PBF](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO251-40.jpg)
IRFU7546PBF INFINEON
![1868662.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IRFU7546PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0066 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 82.79 грн |
11+ | 74.43 грн |
100+ | 57.87 грн |
500+ | 44.37 грн |
1000+ | 31.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU7546PBF INFINEON
Description: IRFU7546 - 12V-300V N-CHANNEL PO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 99W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU7546PBF за ціною від 53.28 грн до 107.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU7546PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFU7546PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFU7546PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFU7546PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFU7546PBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V |
товар відсутній |