![IRFU024PBF IRFU024PBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/61a6d2a25d419334e865fd7177cfe2027407487e/ipak-3.jpg)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2175+ | 57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU024PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU024PBF за ціною від 38.08 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 14824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFU024PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF Код товару: 49505 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 640/25 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IRFU024PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |