![IRFSL7530PBF IRFSL7530PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/8/747264/smn_/manual/to-262bw.jpg_472149771.jpg)
IRFSL7530PBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 135.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7530PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL7530PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFSL7530PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |