IRFSL4127PBF Infineon Technologies
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4127PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL4127PBF за ціною від 192.73 грн до 447.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFSL4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|