Продукція > VISHAY > IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF Vishay

sihs9n60.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFS9N60APBF за ціною від 73.63 грн до 246.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+121.87 грн
104+ 116.42 грн
250+ 111.75 грн
500+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.32 грн
9+ 98 грн
24+ 92.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+149.7 грн
850+ 137.45 грн
1700+ 128.56 грн
2550+ 117.55 грн
Мінімальне замовлення: 81
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+175.11 грн
77+ 157.08 грн
137+ 88.54 грн
138+ 84.52 грн
250+ 77.48 грн
500+ 73.63 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+177 грн
10+ 157.05 грн
25+ 133.18 грн
100+ 89.8 грн
250+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182 грн
3+ 157.41 грн
9+ 117.6 грн
24+ 110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+191.63 грн
72+ 170.03 грн
84+ 144.2 грн
120+ 97.22 грн
250+ 87.51 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+204.05 грн
10+ 121.96 грн
100+ 102.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+229.19 грн
10+ 194.56 грн
25+ 156.11 грн
100+ 105.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.54 грн
10+ 208.38 грн
25+ 140.08 грн
100+ 121.26 грн
250+ 118.48 грн
500+ 105.93 грн
1000+ 105.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.72 грн
50+ 180.7 грн
100+ 154.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+246.82 грн
58+ 209.53 грн
72+ 168.12 грн
104+ 113.1 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A
Код товару: 77974 		Виробник : Vishay irfs9n60a_datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
Монтаж: SMD
товар відсутній