IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 65.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS7734TRLPBF за ціною від 65.36 грн до 219.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7734TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS7734TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |