IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 80.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 100.87 грн до 314.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 375W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 407nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 407nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |