![IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/10/3/0/37/49/310/smn_/manual/pg-to263-7.jpg_472149771.jpg)
IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 91.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS7730TRL7PP за ціною від 111.6 грн до 206.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP Код товару: 103419 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V |
товар відсутній |